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2 天之前 碳化硅（SiC ) 功率晶体管可为设计人员带来新的灵活性，助力实现前所未有的效率和可靠性。 高压CoolSiC™ MOSFET技术在反向恢复特性方面也实现了令人印象深刻 sic 碳化硅mosfet-英飞凌(infineon)官网 - Infineon Technologies2 天之前 碳化硅（SiC ) 功率晶体管可为设计人员带来新的灵活性，助力实现前所未有的效率和可靠性。 高压CoolSiC™ MOSFET技术在反向恢复特性方面也实现了令人印象深刻
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2023年1月13日 碳化硅（SiC）作为第三代半导 体代表，具有高频率、高效率、小体积等优点，更适合车载充电机OBC、直流变换器 DC/DC、 电机控制器等应用场景高频驱动和高 OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点 - 德州 ...2023年1月13日 碳化硅（SiC）作为第三代半导 体代表，具有高频率、高效率、小体积等优点，更适合车载充电机OBC、直流变换器 DC/DC、 电机控制器等应用场景高频驱动和高
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2024年4月16日 作为在碳化硅SiC技术开发领域拥有20多年传统的领先的功率半导体供应商，我们能很好地满足对更智能、更高效发电、输电和用电的需求。 出色的可靠性、多样性和系统优势。 碳化硅SiC器件-英飞凌(Infineon)官网 - Infineon 2024年4月16日 作为在碳化硅SiC技术开发领域拥有20多年传统的领先的功率半导体供应商，我们能很好地满足对更智能、更高效发电、输电和用电的需求。 出色的可靠性、多样性和系统优势。
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借助SiC MOSFET，将创新宽带隙材料（WBG）的优势融入下一个设计。意法半导体的碳化硅MOSFET具有650 V至2200 V的扩展电压范围，是最先进的技术平台之一，具有出众的 碳化硅（SiC）MOSFET - 意法半导体STMicroelectronics借助SiC MOSFET，将创新宽带隙材料（WBG）的优势融入下一个设计。意法半导体的碳化硅MOSFET具有650 V至2200 V的扩展电压范围，是最先进的技术平台之一，具有出众的
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2020年10月23日 SiC（碳化硅）是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物半导体材料。 表1-1 列出了各种半导体材料的电气特征，SiC 的优点不 仅在于其绝缘击穿场 SiC 功率器件・模块 应用笔记 - Rohm2020年10月23日 SiC（碳化硅）是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物半导体材料。 表1-1 列出了各种半导体材料的电气特征，SiC 的优点不 仅在于其绝缘击穿场
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碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247长引线封装 碳化硅（SiC）MOSFET: 相关产品 - STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247长引线封装
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2023年2月12日 体系认证，碳化硅功率二极管产品已获得AEC-Q101车规级认证，面向新能源汽车、光伏逆变器、通信电源等大功率、高可靠性应用提供全面 灵活的合作方式和解 湖南三安 碳化硅产品选型手册2023年2月12日 体系认证，碳化硅功率二极管产品已获得AEC-Q101车规级认证，面向新能源汽车、光伏逆变器、通信电源等大功率、高可靠性应用提供全面 灵活的合作方式和解
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SiC（碳化硅）MOSFET 基于SiC的平面型MOSFET。（SiC-SBD非一体型） 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。 SCT2080KE_数据表、主要规格_ROHM.cnSiC（碳化硅）MOSFET 基于SiC的平面型MOSFET。（SiC-SBD非一体型） 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。
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3 天之前 CoolSiC™沟槽技术可实现灵活的参数设置，用于实施各自产品组合中的具体特性，譬如，栅源电压、雪崩技术参数、短路能力或适用于硬整流的内部体二极管等。. The 400 V CoolSiC™ MOSFETs were specially 碳化硅MOSFET分立器件-coolsic mosfet-英飞凌 3 天之前 CoolSiC™沟槽技术可实现灵活的参数设置，用于实施各自产品组合中的具体特性，譬如，栅源电压、雪崩技术参数、短路能力或适用于硬整流的内部体二极管等。. The 400 V CoolSiC™ MOSFETs were specially
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2023年1月13日 器件具有更高的耐压小型化要求功率拓扑具有更高的开关频率。碳化硅（SiC）作为第三代半导 体代表，具有高频率、高效率、小体积等优点，更适合车载充电机OBC、直流变换器 DC/DC、电机控制器等应用场景高频驱动和高压化的技术发展趋势。 OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点 - 德州 ...2023年1月13日 器件具有更高的耐压小型化要求功率拓扑具有更高的开关频率。碳化硅（SiC）作为第三代半导 体代表，具有高频率、高效率、小体积等优点，更适合车载充电机OBC、直流变换器 DC/DC、电机控制器等应用场景高频驱动和高压化的技术发展趋势。
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2023年2月12日 碳化硅产品选型手册 Hunan Sanan SiC Power Products Ver 2023.01 车规级产品 通过更高的功率密度和能源转换效率，提高新能源 汽车的续航里程，优化新能源汽车的充电体验。碳化硅二极管模块 最新的碳化硅功率二极管工艺和小型化封装技术，提升模 湖南三安 碳化硅产品选型手册2023年2月12日 碳化硅产品选型手册 Hunan Sanan SiC Power Products Ver 2023.01 车规级产品 通过更高的功率密度和能源转换效率，提高新能源 汽车的续航里程，优化新能源汽车的充电体验。碳化硅二极管模块 最新的碳化硅功率二极管工艺和小型化封装技术，提升模
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2020年10月23日 一般来说,在功率模块内部会使用硅胶作为芯片的绝缘材料,但是硅胶容易吸湿,当含有水分后将无法继续承受高压,导致漏电流增加、绝缘损坏等故障发生。. ROHM 的1700V 耐压的SiC 模块为了防止芯片受潮,导入了新的涂层材料和新的工艺方法,通过了HV-H3TRB 测试。. 在85 ... SiC 功率器件・模块 应用笔记 - Rohm2020年10月23日 一般来说,在功率模块内部会使用硅胶作为芯片的绝缘材料,但是硅胶容易吸湿,当含有水分后将无法继续承受高压,导致漏电流增加、绝缘损坏等故障发生。. ROHM 的1700V 耐压的SiC 模块为了防止芯片受潮,导入了新的涂层材料和新的工艺方法,通过了HV-H3TRB 测试。. 在85 ...
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Candela 8520第二代集成式光致发光和表面检测系统，设计用于对碳化硅和氮化镓衬底上的外延缺陷进行高级表征。采用统计制程控制(SPC)的方法来进行自动晶圆检测，可显著降低由外延缺陷导致的良率损失，最大限度地减少金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器的工艺偏差，并增加MOCVD反应器的正常运行 ... Candela 8520 - 光致发光和表面检测系统 - KLACandela 8520第二代集成式光致发光和表面检测系统，设计用于对碳化硅和氮化镓衬底上的外延缺陷进行高级表征。采用统计制程控制(SPC)的方法来进行自动晶圆检测，可显著降低由外延缺陷导致的良率损失，最大限度地减少金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器的工艺偏差，并增加MOCVD反应器的正常运行 ...
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2021年10月14日 结论. 碳化硅（SiC）数据手册中列出了很多额定值和特性，了解这些额定值是如何影响您的设计是有好处的。. 与Si或IGBT等传统结构相比，尽管SiC有很很多优势，但优化诸如热管理、驱动电路、PCB Layout等内容可以极大地提高性能和设计的可靠性。. Wolfspeed提供了 ... Wolfspeed 数据手册解读 Wolfspeed2021年10月14日 结论. 碳化硅（SiC）数据手册中列出了很多额定值和特性，了解这些额定值是如何影响您的设计是有好处的。. 与Si或IGBT等传统结构相比，尽管SiC有很很多优势，但优化诸如热管理、驱动电路、PCB Layout等内容可以极大地提高性能和设计的可靠性。. Wolfspeed提供了 ...
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2 天之前 英飞凌CoolSiC™ MOSFET功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。. 碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。. 此外，碳化硅（SiC）功率模块 RDS 从 52.9 mOhm到1.44 mOhm ，可 ... 碳化硅CoolSiC™ MOSFET模块-英飞凌 (infineon)官网2 天之前 英飞凌CoolSiC™ MOSFET功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。. 碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。. 此外，碳化硅（SiC）功率模块 RDS 从 52.9 mOhm到1.44 mOhm ，可 ...
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立创商城提供Wolfspeed的碳化硅场效应管(MOSFET)C3M0016120K中文资料,PDF数据手册,引脚图,封装规格,价格行情和库存，采购C3M0016120K 上立创商城 您好，请登录 免费注册 收藏网址 收藏官网，优惠快人一步 您可以尝试通过快捷键 CTRL + D 加入收藏 ... C3M0016120K_Wolfspeed-C3M0016120K中文资料_PDF手册 ...立创商城提供Wolfspeed的碳化硅场效应管(MOSFET)C3M0016120K中文资料,PDF数据手册,引脚图,封装规格,价格行情和库存，采购C3M0016120K 上立创商城 您好，请登录 免费注册 收藏网址 收藏官网，优惠快人一步 您可以尝试通过快捷键 CTRL + D 加入收藏 ...
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SiC（碳化硅）MOSFET SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型 ... SiC（碳化硅）MOSFET_产品搜索结果_罗姆半导体集团 ...SiC（碳化硅）MOSFET SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型 ...
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碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247 长引线封装 SCTHS250N65G2G Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 8 mOhm typ., 250 A in a STPAK package SCT040W65G3-4 Silicon carbide Power ... 碳化硅（SiC）MOSFET: 相关产品 - STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247 长引线封装 SCTHS250N65G2G Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 8 mOhm typ., 250 A in a STPAK package SCT040W65G3-4 Silicon carbide Power ...
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2016年6月3日 铝碳化硅复合材料介绍. 铝碳化硅复合材料(AlSiC) Metalized Ceramic),是一种新型功能复合材料,全称铝基碳化硅陶瓷颗粒增强复合材料(Reinforced Material Aluminum Matrix SiC Particle )。. 其展现出的优异性能,吸引了国内外无数的科研院所和科技公司对其. 生产制造技术投入资金 ... 铝碳化硅（AlSiC）复合材料及产品介绍 铝碳化硅复合材料介绍2016年6月3日 铝碳化硅复合材料介绍. 铝碳化硅复合材料(AlSiC) Metalized Ceramic),是一种新型功能复合材料,全称铝基碳化硅陶瓷颗粒增强复合材料(Reinforced Material Aluminum Matrix SiC Particle )。. 其展现出的优异性能,吸引了国内外无数的科研院所和科技公司对其. 生产制造技术投入资金 ...
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网站首页-深圳市国微三代半导体技术有限公司是国微集团旗下的一家专业从事化合物半导体的公司。公司核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片，碳化硅功率器件、模块等，产品性能达到国际先进水平，主要服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球客户。 网站首页-深圳市国微三代半导体技术有限公司网站首页-深圳市国微三代半导体技术有限公司是国微集团旗下的一家专业从事化合物半导体的公司。公司核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片，碳化硅功率器件、模块等，产品性能达到国际先进水平，主要服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球客户。
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查看与碳化硅二极管相关的PDF文档和数据手册 中文 English 日本語 CATEGORIES 二极管和整流器 碳化硅二极管 碳化硅二极管: 相关PDF文档 储存到myST Evaluation tools Solution evaluation tools (6) Mobile applications ... 碳化硅二极管: 相关PDF文档查看与碳化硅二极管相关的PDF文档和数据手册 中文 English 日本語 CATEGORIES 二极管和整流器 碳化硅二极管 碳化硅二极管: 相关PDF文档 储存到myST Evaluation tools Solution evaluation tools (6) Mobile applications ...
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DCM™1000 技术平台手册 手册下载 关于 DCM™1000 的常见问题与回答 DCM™ 模块当前的额定电流是指什么 ... 距离和爬电距离，适用于直流链路电压高达 1000V 的应用。DCM™1000 和 DCM™1000X 都可以使用碳化硅 MOSFET ... 汽车牵引 SiC 和 IGBT 功率模块 DCM™ DanfossDCM™1000 技术平台手册 手册下载 关于 DCM™1000 的常见问题与回答 DCM™ 模块当前的额定电流是指什么 ... 距离和爬电距离，适用于直流链路电压高达 1000V 的应用。DCM™1000 和 DCM™1000X 都可以使用碳化硅 MOSFET ...
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2024年2月17日 乾晶半导体产品手册--碳化硅衬底 编号：HZ-QM-SPC-001-05 V13 Email: sales@ivsemitec 电话：+86-571-83896550 地址：浙江省杭州市萧山区垦辉八路99号／浙江省衢州市东港八路78 号 乾晶半导体 产品手册 IV-SEMITEC Product Specifications ... 乾晶半导体 产品手册2024年2月17日 乾晶半导体产品手册--碳化硅衬底 编号：HZ-QM-SPC-001-05 V13 Email: sales@ivsemitec 电话：+86-571-83896550 地址：浙江省杭州市萧山区垦辉八路99号／浙江省衢州市东港八路78 号 乾晶半导体 产品手册 IV-SEMITEC Product Specifications ...
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2017年10月5日 罗姆公司 碳化硅 功率器件 模块 使用手册. SiC功率器件・模块 使用手册 Rev. 001 2013 年 3 月发行 13103CAY01 目录 1. SiC 半导体 3 1.1 SiC 材料的物性和特征 3 1.2 SiC 功率器件的特征 3 2. SiC SBD 的特征 4 2.1 器件结构和特征 4 2.2 SiC‐SBD 的正向特性 4 2.3 SiC‐SBD 的恢复特性 5 3. 罗姆公司 碳化硅 功率器件 模块 使用手册.pdf - 原创力文档2017年10月5日 罗姆公司 碳化硅 功率器件 模块 使用手册. SiC功率器件・模块 使用手册 Rev. 001 2013 年 3 月发行 13103CAY01 目录 1. SiC 半导体 3 1.1 SiC 材料的物性和特征 3 1.2 SiC 功率器件的特征 3 2. SiC SBD 的特征 4 2.1 器件结构和特征 4 2.2 SiC‐SBD 的正向特性 4 2.3 SiC‐SBD 的恢复特性 5 3.
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2023年2月11日 碳化硅二极管选型表 IGBT产品选型表 碳化硅MOS选型表 碳化硅模块选型表 数据手册 SIC 课堂 IGBT知识课堂 解决方案 工程师家园 工作机会 联系我们 提问与投稿中心 首页 / 数据手册 数据手册 ASR45N1200D02.PDF 2023/02/11 825 查看全文 ... 数据手册 - 亿伟世科技2023年2月11日 碳化硅二极管选型表 IGBT产品选型表 碳化硅MOS选型表 碳化硅模块选型表 数据手册 SIC 课堂 IGBT知识课堂 解决方案 工程师家园 工作机会 联系我们 提问与投稿中心 首页 / 数据手册 数据手册 ASR45N1200D02.PDF 2023/02/11 825 查看全文 ...
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2021年6月23日 产排污系数法( 含物料衡算法) 产排污系数法是依据调查对象的产品或原料类型、生产工艺、生 产规模以及污染治理技术等,根据产排污系数手册中对应的“ 影响因素”组 合确定产污系数及污染物去除效率,核算污染物产生量和排放量。. 有废水回用的调查对象 ... 排放源统计调查产排污核算方法 和系数手册 - 中华人民共和国 ...2021年6月23日 产排污系数法( 含物料衡算法) 产排污系数法是依据调查对象的产品或原料类型、生产工艺、生 产规模以及污染治理技术等,根据产排污系数手册中对应的“ 影响因素”组 合确定产污系数及污染物去除效率,核算污染物产生量和排放量。. 有废水回用的调查对象 ...
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2023年4月14日 碳化硅陶瓷膜过滤精度一般为微滤和超滤，分离层在过滤过程中起到主要作用。. 近年来，伴随膜产业不断发展，碳化硅陶瓷膜市场认可度逐渐提升。. 目前来看，碳化硅陶瓷膜产业发展仍面临制备技术不成熟、应用研究不完善等问题，碳化硅陶瓷膜市场仍需 碳化硅陶瓷膜公司工程质量管理手册(模板) - 豆丁网2023年4月14日 碳化硅陶瓷膜过滤精度一般为微滤和超滤，分离层在过滤过程中起到主要作用。. 近年来，伴随膜产业不断发展，碳化硅陶瓷膜市场认可度逐渐提升。. 目前来看，碳化硅陶瓷膜产业发展仍面临制备技术不成熟、应用研究不完善等问题，碳化硅陶瓷膜市场仍需
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2021年1月19日 英標凌基于CoolSiC™沟普昿的碳化硅功朮MOSFET ，凭借昩出的柳统性桒，在功朮转换开关器件的优 值柳数（FOM）值上取得了巨大改楜。楛桒栕棟多应用带春更高的效朮和功朮密度，以及更低的柳统成 本。棯技昚也为创楷更多新应用和新拓扑带春 U桒。 英標凌如何控制和保棤基于 SiC 的功朮半导体器 件的槾性2021年1月19日 英標凌基于CoolSiC™沟普昿的碳化硅功朮MOSFET ，凭借昩出的柳统性桒，在功朮转换开关器件的优 值柳数（FOM）值上取得了巨大改楜。楛桒栕棟多应用带春更高的效朮和功朮密度，以及更低的柳统成 本。棯技昚也为创楷更多新应用和新拓扑带春 U桒。
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