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2021年11月10日 目前，我国已成功研制出4米量级碳化硅反射镜，解决了大口径碳化硅非球面反射镜制造难题，拥有了具有自主知识产权的4米量级碳化硅非球面反射镜集成制造系 碳化硅：第三代半导体核心材料-新华网2021年11月10日 目前，我国已成功研制出4米量级碳化硅反射镜，解决了大口径碳化硅非球面反射镜制造难题，拥有了具有自主知识产权的4米量级碳化硅非球面反射镜集成制造系
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2021年9月29日 随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。 走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化 下一代半导体：一路向宽，一路向窄-新华网2021年9月29日 随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。 走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化
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2022年11月11日 在汽车电动化热潮下，一类新型半导体技术——碳化硅（SiC）材料成为市场追逐的热点。 碳化硅由硅和钻石的组成元素碳结合而成。 碳化硅技术适合用在功率芯 汽车半导体巨头安森美详解碳化硅战略，目标三年内营收超40 ...2022年11月11日 在汽车电动化热潮下，一类新型半导体技术——碳化硅（SiC）材料成为市场追逐的热点。 碳化硅由硅和钻石的组成元素碳结合而成。 碳化硅技术适合用在功率芯
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2022年6月8日 通过全球搜索方法，在 SACADA-Samara 碳同素异形体数据库的 522 个纯碳结构中，用化学计量比为 1:1 的碳和硅原子替换碳原子，发现了六个具有直接带隙的新 六种具有直接带隙的新型碳化硅：综合研究,Chemical Physics ...2022年6月8日 通过全球搜索方法，在 SACADA-Samara 碳同素异形体数据库的 522 个纯碳结构中，用化学计量比为 1:1 的碳和硅原子替换碳原子，发现了六个具有直接带隙的新
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新型碳化硅功率二极管的研究. 随着绿色高效能源转换的迫切要求和电力电子技术的不断发展,以硅材料为基础的传统电力电子器件的物理局限性日益显现,严重制约了器件的工作电压,工作电流,工作频率,工作温度,耗散功率和抗辐射等性能的提高.碳化硅材料作为新 ... 新型碳化硅功率二极管的研究 - 百度学术新型碳化硅功率二极管的研究. 随着绿色高效能源转换的迫切要求和电力电子技术的不断发展,以硅材料为基础的传统电力电子器件的物理局限性日益显现,严重制约了器件的工作电压,工作电流,工作频率,工作温度,耗散功率和抗辐射等性能的提高.碳化硅材料作为新 ...
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SiC: 以碳化硅打造更可持续的未来。. 历经多年的研发积累，意法半导体于2004年推出了第一款碳化硅二极管。. SiC MOSFET问世于2009年，并于2014年开始量产。. 如今，意法半导体基于SiC技术的中压和高压电力产品已在业内得到了广泛应用。. 意法半导体积极进行产能 ... 碳化硅 - 意法半导体STMicroelectronicsSiC: 以碳化硅打造更可持续的未来。. 历经多年的研发积累，意法半导体于2004年推出了第一款碳化硅二极管。. SiC MOSFET问世于2009年，并于2014年开始量产。. 如今，意法半导体基于SiC技术的中压和高压电力产品已在业内得到了广泛应用。. 意法半导体积极进行产能 ...
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2023年11月6日 碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料-电子工程专辑. 首次发现！. 碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料. 由助理教授Richard Norte领导的代尔夫特理工大学的研究人员公布了一种引人注目的新材料，具有影响材料科学世界的潜力：非晶碳化硅（a-SiC ... 首次发现！碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料-电子 ...2023年11月6日 碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料-电子工程专辑. 首次发现！. 碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料. 由助理教授Richard Norte领导的代尔夫特理工大学的研究人员公布了一种引人注目的新材料，具有影响材料科学世界的潜力：非晶碳化硅（a-SiC ...
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2021年11月10日 第三代半导体又叫宽禁带半导体，是以碳化硅、氮化镓等化合物材料为代表的一类新型半导体。碳化硅具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是第三代半导体材料，也是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的关键材料，在航天等极端环境应用领域里更有着不可 ... 碳化硅：第三代半导体核心材料-新华网2021年11月10日 第三代半导体又叫宽禁带半导体，是以碳化硅、氮化镓等化合物材料为代表的一类新型半导体。碳化硅具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是第三代半导体材料，也是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的关键材料，在航天等极端环境应用领域里更有着不可 ...
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2021年5月26日 随后，他们设计出一系列新型高强、高塑、高稳定性的铝基碳化硅复合材料，并成功突破大尺寸坯料制备与成形加工技术难题，使得所研发的高强韧新型铝基碳化硅复合材料具备了应用可行性，从而为火星探测器顺利研制提供了有力保障。. “与传统铝基碳化硅 ... 【科技日报】新型铝基碳化硅复合材料为“祝融”漫步火星护航 ...2021年5月26日 随后，他们设计出一系列新型高强、高塑、高稳定性的铝基碳化硅复合材料，并成功突破大尺寸坯料制备与成形加工技术难题，使得所研发的高强韧新型铝基碳化硅复合材料具备了应用可行性，从而为火星探测器顺利研制提供了有力保障。. “与传统铝基碳化硅 ...
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2017年6月7日 技术需求. 主要内容. 1 、通过与基体复合解决陶瓷材料致命的弱点脆性的关键技术研究；. 2 、碳化硅陶瓷材料在功能性材料上的应用关键技术研究；. 3 、碳化硅陶瓷材料在结构性材料上的应用关键技术研究。. 产学研拟. 合作模式. 技术转让 委托开发 共同开发 ... 56.新型碳化硅陶瓷基复合材料的应用--湖南恒裕新材料科技 ...2017年6月7日 技术需求. 主要内容. 1 、通过与基体复合解决陶瓷材料致命的弱点脆性的关键技术研究；. 2 、碳化硅陶瓷材料在功能性材料上的应用关键技术研究；. 3 、碳化硅陶瓷材料在结构性材料上的应用关键技术研究。. 产学研拟. 合作模式. 技术转让 委托开发 共同开发 ...
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2018年8月18日 实验室发展出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂 日期：2018-08-18， 查看：1093 字体大小： 碳化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，其硬度仅次于金刚石，具有热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好、耐磨性能高、且在高温下仍具有良好力学性能和抗氧化性能等突出的物理化学性质，成为最具发展前景的 ... 实验室发展出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂 - 浙江省数据 ...2018年8月18日 实验室发展出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂 日期：2018-08-18， 查看：1093 字体大小： 碳化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，其硬度仅次于金刚石，具有热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好、耐磨性能高、且在高温下仍具有良好力学性能和抗氧化性能等突出的物理化学性质，成为最具发展前景的 ...
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2023年12月26日 新型多线切割设备可切割直径为10吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。 晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进”，如今已经从6吋向8吋（为6吋的1.8倍）过渡。 日本高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可 ...2023年12月26日 新型多线切割设备可切割直径为10吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。 晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进”，如今已经从6吋向8吋（为6吋的1.8倍）过渡。
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新型铝基碳化硅复合材料在卫星主结构中的应用. 整星固有频率特性一直是卫星主结构刚度设计的主要约束条件之一,而主结构材料的弹性模量是影响刚度的主要因素,采用铝基碳化硅新型材料,可以在不增加重量,不对工艺作大的修改的前提下,有效提高整星结构刚度 ... 新型铝基碳化硅复合材料在卫星主结构中的应用 - 百度学术新型铝基碳化硅复合材料在卫星主结构中的应用. 整星固有频率特性一直是卫星主结构刚度设计的主要约束条件之一,而主结构材料的弹性模量是影响刚度的主要因素,采用铝基碳化硅新型材料,可以在不增加重量,不对工艺作大的修改的前提下,有效提高整星结构刚度 ...
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2023年12月26日 新型多线切割设备可切割直径为10 吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进 ... 高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可用于 ...2023年12月26日 新型多线切割设备可切割直径为10 吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进 ...
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摘要: 为了实现能源的高效利用，通过减小器件的导通电阻和栅漏电容来降低MOSFET的功耗一直是功率电子学的研究热点，但二者存在折衷关系.碳化硅的材料优势使碳化硅MOSFET更适合高频应用，在不过多增大导通电阻的情况下，减小栅漏电容以降低器件在高频应用中的动态功耗是本文的设计重点.提出 ... 一种1 200 V碳化硅沟槽MOSFET的新结构设计摘要: 为了实现能源的高效利用，通过减小器件的导通电阻和栅漏电容来降低MOSFET的功耗一直是功率电子学的研究热点，但二者存在折衷关系.碳化硅的材料优势使碳化硅MOSFET更适合高频应用，在不过多增大导通电阻的情况下，减小栅漏电容以降低器件在高频应用中的动态功耗是本文的设计重点.提出 ...
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2023年11月17日 器件端：基于先进碳化硅材料生长和工艺技术的新型 碳化硅器件 工艺端：面向下一代碳化硅器件的新制造及封装工艺 一个冷知识：国内碳化硅产业链其实比硅更加完整，几乎做到全国产，性能上存在的一些差距也正迅速缩小。国内最新一代的 ... 报告分享复旦大学研究员雷光寅博士：碳化硅功率器件现状及 ...2023年11月17日 器件端：基于先进碳化硅材料生长和工艺技术的新型 碳化硅器件 工艺端：面向下一代碳化硅器件的新制造及封装工艺 一个冷知识：国内碳化硅产业链其实比硅更加完整，几乎做到全国产，性能上存在的一些差距也正迅速缩小。国内最新一代的 ...
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2020-09-21 11:27. 近年来，以碳化硅为代表的第三代半导体材料在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。. 以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基 ... 第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及前景分析_器件2020-09-21 11:27. 近年来，以碳化硅为代表的第三代半导体材料在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。. 以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基 ...
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开幕大会现场. 2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙盛大召开。. 论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。. 开幕大会现场. 顺利开幕-2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术 ...开幕大会现场. 2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙盛大召开。. 论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。. 开幕大会现场.
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2024年4月15日 当前，新型电力系统所采用的碳化硅器件分成两类，一类是中低压的SiC MOSFET器件，电压范围为1200V-6500V。这类碳化硅器件主要用在配电网，比如分布能源的光伏逆变器、储能PCS 等。需求放量是在未来配网实现有源化之后，交流和直流的连接必 话题｜碳化硅在新型电力系统中的应用与可靠性研究-电子 ...2024年4月15日 当前，新型电力系统所采用的碳化硅器件分成两类，一类是中低压的SiC MOSFET器件，电压范围为1200V-6500V。这类碳化硅器件主要用在配电网，比如分布能源的光伏逆变器、储能PCS 等。需求放量是在未来配网实现有源化之后，交流和直流的连接必
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新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展. 介绍了碳化硅陶瓷基复合材料的应用和发展现状,阐述了CVI-CMC-SiC制造技术在我国的研究进展,开展了CVI-CMC-SiC的性能与微结构特性的研究和CVI过程控制及其对性能影响的研究,研制了多种CMC-SiC和其构件.材料性能和整体研究与 新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展 - 百度学术新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展. 介绍了碳化硅陶瓷基复合材料的应用和发展现状,阐述了CVI-CMC-SiC制造技术在我国的研究进展,开展了CVI-CMC-SiC的性能与微结构特性的研究和CVI过程控制及其对性能影响的研究,研制了多种CMC-SiC和其构件.材料性能和整体研究与
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2023年12月26日 新型多线切割设备可切割直径为10吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。 晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进”，如今已经从6吋向8吋（为6吋的1.8倍）过渡。 日本高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可 ...2023年12月26日 新型多线切割设备可切割直径为10吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。 晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进”，如今已经从6吋向8吋（为6吋的1.8倍）过渡。
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碳化硅（SiC）具有较好的导热性，较强的抗氧化性及很高的机械强度，作为新型催化剂载体在强放热、高腐蚀性、液相催化等反应中有很好的应用前景，近年来受到广泛关注。目前关于SiC载体的研究主要集中在三个方面：（1）高比表面积多孔SiC材料的制备；（2）基于现有商业化低比表面积SiC材料的 ... 新型催化剂载体碳化硅的研究现状碳化硅（SiC）具有较好的导热性，较强的抗氧化性及很高的机械强度，作为新型催化剂载体在强放热、高腐蚀性、液相催化等反应中有很好的应用前景，近年来受到广泛关注。目前关于SiC载体的研究主要集中在三个方面：（1）高比表面积多孔SiC材料的制备；（2）基于现有商业化低比表面积SiC材料的 ...
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2022年5月18日 碳化硅模块封装的主要问题 近几十年来，以新发展起来的第3代宽禁带功率半导体材料碳化硅（SiC）为基础的功率半导体器件，凭借其优异的性能备受人们关注。SiC与第1代半导体材料硅（Si）、锗（Ge）和第2代半导体材料砷化镓（GaAs）、磷化镓 ... 哈尔滨理工大学蔡蔚教授团队研究成果：SiC 功率模块封装 ...2022年5月18日 碳化硅模块封装的主要问题 近几十年来，以新发展起来的第3代宽禁带功率半导体材料碳化硅（SiC）为基础的功率半导体器件，凭借其优异的性能备受人们关注。SiC与第1代半导体材料硅（Si）、锗（Ge）和第2代半导体材料砷化镓（GaAs）、磷化镓 ...
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