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碳化硅陈建平

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碳化硅陈建平

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先进碳化物陶瓷材料课题组--中国科学院上海硅酸盐 ...

在工程化应用方面,突破了大尺寸碳化硅光学部件的关键制备技术,打破了国际封锁。. 截止2018年,已累计研制出400余件不同规格的碳化硅光学部件产品,在23颗卫星上获得工程 先进碳化物陶瓷材料课题组--中国科学院上海硅酸盐 ...在工程化应用方面,突破了大尺寸碳化硅光学部件的关键制备技术,打破了国际封锁。. 截止2018年,已累计研制出400余件不同规格的碳化硅光学部件产品,在23颗卫星上获得工程

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晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破 - 中国科学院 ...

2024年1月11日  碳化硅 (SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能,在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。. 与目前应用广泛 晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破 - 中国科学院 ...2024年1月11日  碳化硅 (SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能,在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。. 与目前应用广泛

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【中国科学报】20余年坚守创新 他为国产碳化硅 ...

2024年2月5日  这是国际上首次制备出晶圆级、高质量的大块立方碳化硅晶体。. “衬底是下游半导体芯片制作中最关键的原料之一。. ”陈小龙告诉《中国科学报》,立方碳化硅的外 【中国科学报】20余年坚守创新 他为国产碳化硅 ...2024年2月5日  这是国际上首次制备出晶圆级、高质量的大块立方碳化硅晶体。. “衬底是下游半导体芯片制作中最关键的原料之一。. ”陈小龙告诉《中国科学报》,立方碳化硅的外

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单晶立方碳化硅辐照肿胀与非晶化的分子动力学模拟研究

2022年1月26日  结合动态恒温墙技术和恒温恒压热浴算法,本工作基于经典分子动力学模拟方法构建了单晶立方碳化硅 (3C-SiC)的连续辐照模型,并研究了室温下连续几千次碰撞级联 单晶立方碳化硅辐照肿胀与非晶化的分子动力学模拟研究2022年1月26日  结合动态恒温墙技术和恒温恒压热浴算法,本工作基于经典分子动力学模拟方法构建了单晶立方碳化硅 (3C-SiC)的连续辐照模型,并研究了室温下连续几千次碰撞级联

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碳化硅器件挑战现有封装技术

摘要: 碳化硅(SiC)器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战。 现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate 碳化硅器件挑战现有封装技术摘要: 碳化硅(SiC)器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战。 现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate

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Laboratory of Advanced Materials Structure Analysis (A02)

在产业化过程中,陈小龙带领团队持续降低碳化硅晶体缺陷密度,提高晶体质量,产品各项技术指标均达国际先进水平。 天科合达向国内100多家科研机构和企业批量供片,产品被应 Laboratory of Advanced Materials Structure Analysis (A02)在产业化过程中,陈小龙带领团队持续降低碳化硅晶体缺陷密度,提高晶体质量,产品各项技术指标均达国际先进水平。 天科合达向国内100多家科研机构和企业批量供片,产品被应

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陈小龙:国产化碳化硅晶片的开路人----2022中国科学院 ...

在产业化过程中,陈小龙带领团队持续降低碳化硅晶体缺陷密度,提高晶体质量,产品各项技术指标均达国际先进水平。 天科合达向国内100多家科研机构和企业批量供片,产品被应 陈小龙:国产化碳化硅晶片的开路人----2022中国科学院 ...在产业化过程中,陈小龙带领团队持续降低碳化硅晶体缺陷密度,提高晶体质量,产品各项技术指标均达国际先进水平。 天科合达向国内100多家科研机构和企业批量供片,产品被应

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碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 百度学术

碳化硅的制备及应用最新研究进展. 碳化硅具有强度大,硬度高,弹性模量大,耐磨性好,导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具,陶瓷,冶金,半导体,耐火材料等领域.常 碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 百度学术碳化硅的制备及应用最新研究进展. 碳化硅具有强度大,硬度高,弹性模量大,耐磨性好,导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具,陶瓷,冶金,半导体,耐火材料等领域.常

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